Infineon visar sina nya komponenter i galliumnitrid (GaN) på Electronica. CoolGaN är handelsnamnet för de nya HEMT-komponenterna i återvinningsmod (enhanced mode) för upp till 600 V.

Med introduktionen av dessa nya HEMT och gate-drivkretsar EiceDriver är Infineon nu det enda företag som levererar halvledarkomponenter i kisel, kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid.

De nyligen lanserade HEMT-transistorerna är normalt icke ledande (normally off, enhancement mode) och passar särskilt väl för 600 V switchade nätaggregat eftersom CoolGaN-switcharna har låg gate-laddning och utmärkta dynamiska prestanda beträffande ledning i backriktningen. Jämfört med kiseltransistorer tillåts mycket högre switchfrekvenser. Därmed kan storleken på de passiva komponenterna minskas radikalt.

Som exempel kan dessa CoolGaN bidra till 99,3 procents verkningsgrad i ett kretsar för 2,5 KW effektfaktorkorrigering (power factor correction, PFC) och signifikant högre densitet (>160 W/kubiktum för 3,6 kW LCC med >98 procents verkningsgrad). I resonanta omvandlare  leder den linjära kapacitansen till 8 – 10 gånger lägre dödtid.

På frågan om tillförlitligheten för de nya komponenterna hävdar Infineon att CoolGaN har industriledande tillförlitlighet.

600 V switchtransistorer i CoolGaN-familjen finns med 70 eller 190 mohms ON-resistans. De är avsedda för ytmontering.

Filed under: Utländsk Teknik