Det belgiska forskningsinstitutet imec utökar samarbetet med Synopsys, Inc inom Technology Computer Aided Design (TCAD) till att omfatta nästa generations FinFET-teknik i 10 nm.

Det utökade samarbetet bygger på det omfattande arbete som utförs på 14 nm och flera andra geometriprocesser och kommer att kalibrera Synopsys ”Sentaurus” TCAD-modeller för att stödja nästa generations FinFET-teknik i 10 nm. Samarbetet kommer att omfatta 3-D modellering av nya kretsarkitekturer och material som gör det möjligt för halvledarindustrin att fortsätta leverera produkter med högre prestanda och lägre strömförbrukning.

– Vårt fokus är att ta itu med halvledarkretsar och materialutmaningar i 10 nanometer och därunder, säger Aaron Thean, chef för logikprogrammet vid imec. Samarbetet med Synopsys hjälper oss att maximera effekten och uppnå våra avancerade forskningsprogram.

Samarbetet mellan imec och Synopsys är särskilt inriktat på utveckling och optimering av nya arkitekturer baserade på FinFETs och tunnel FET (TFETs).

Filed under: Utländsk Teknik