Infineon har tagit fram en familj transceiverkretsar i kisel-germanium (SiGe) som är tänkta för för radiolänkar fram till basstationer i ett mobiltelefoninät. Kretsarna ersätter mer än 10 diskreta komponenter.

Kretsarna överför mer än 1 gigabit/sekund mellan kärnnätet och LTE/4G basstationer.
Produktfamiljen BGTx0 utgör en komplett front-end för trådlös kommunikation på millimetervågsbanden 57-64 GHz, 71-76 GHz eller 81-86 GHz.
BGTx0-kretsarna innehåller RF-byggblock som I/Q-modulator, spänningsstyrd oscillator (VCO), effektförstärkare (PA), lågbrusförstärkare (LNA), programmerbar förstärkare (PGA) och ett SPI-gränssnitt.
Kapseln är av typen eWLB (embedded Wafer Level Ball Grid Array). Validering och kalibrering av RF-prestanda görs via Built-In-Self-Test (BIST) vilket förenklar i produktionsflödet.
Kretsarna drar 2 W och slutsteget (PA) levererar 18 dBm effekt. Lågbrusförstärkaren har 6 dB brusfaktor och VCOns fasbrus uppges ligga vid -85 dBc/Hz vid 100 kHz offset. Sammantaget ger det förutsättningar för att överföra modulationssätt upp till 64QAM med 500 MSa/s, eller med QAM32 upp till 1 GSa/s vid en felfrekvens på 10-6 BER (Bit Error Rate).
Kretsarna tål 1 kV ESD vilket underlättar hanteringen av dem.

Filed under: Utländsk Teknik