Toshiba Electronics Europe meddelar att de nu lanserar sin 6:e teknikgeneration IGBT:er som erbjuder en förbättrad avvägning avseende switchförlust/ledningförlust för ökad effektivitet och förbättrad prestanda.

En ny teknik är grunden för en ny familj av kompakta 600 V komponenter som är avsedda för en mängd hårda switchtillämpningar, såsom för motordrift, solväxelriktare och avbrottsfri strömförsörjning (UPS).

Toshibas sjätte generation IGBT-teknik kombinerar en finare mönsterdesign och en tunnare "punch through" waferprocess än den tidigare generationens teknik, liksom en optimerad vertikal design. Som ett resultat av kan komponenter baserade på den nya processen ge lägre V_CE(sat) ledningsförluster och minskad E_on och E_off switchförluster.

Nya produkter i den sjätte generationens teknik finns för 15A (GT15J341), 20A (GT20J341), 30A (GT30J341) och 50A (GT50J342). Var och en av komponenterna integrerar både en IGBT och en snabb backströmsdiod ansluten mellan emitter och kollektor i en enda kapsel. Alla har ett typiskt V_CE(sat) på 1,5 V vid märkström. 15 A och 20 A-varianterna levereras i en isolerad TO-220SIS-kapsel, medan 30A och 50A-komponenterna finns i en icke-isolerad TO-3P (N) (TO-247 ekvivalent)-kapsel.

Som exempel på effektivitets- och prestandaförbättringar jämför Toshiba sina nya GT50J342 50A och GT30J341 30A IGBT:er med sina föregångare. Vid TC = 150 °C och med en ström på 50 A för GT50J342 minskar V_CE(sat) med 32% och E_on och E_off minskar med 13% respektive 26%. Detta minskar de totala förlusterna med 24% (DC-bussens spänning 300 V och IGBT switchfrekvens 20 kHz). vid TC = 150 °C och en ström på 30 A i en GT30J341 innebär en minskning av V_CE(sat) på 30% och en minskning av E_on och E_off på 12% respektive 33%. Det minskar de totala förlusterna med 26% (DC-bussens spänning 300 V och IGBT switchfrekvens 20 kHz även i det här exemplet), enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik