Toshiba och SanDisk har i dag firat invigningen av Fab 5, den tredje anläggningen för 300 mm wafer NAND-tillverkning vid Toshibas verksamhet i Yokkaichi i Prefekturen Mie, Japan.

Konsumenternas efterfrågan på smarttelefoner, surfplattor och andra elektroniska enheter fortsätter att ge bränsle till en stark global efterfrågan på NAND flashminnen. Toshiba började bygga Fab 5 i juli 2010, och den nya anläggningen, som är försedd med tillverkningsutrustning finansierad av Toshiba och SanDisk, började volymproduktion i juli 2011. Hur stora dessa volymer är i dagsläget framgår dock inte.

I Fab 5 används för närvarande en 24 nm processteknik men med tiden kommer Toshiba att övergå till mer avancerade processgenerationer, och då först till en en nyligen lanserad 19 nm processteknik.

Fab 5 uppges innehålla avancerade, jordbävningabsorberande strukturer och integrerar flera tekniker för kraftersättning avsedda för skydd mot oväntade störningar av elförsörjningen. LED-belysning och energibesparande tillverkningsutrustning kommer att stödja fabriken att säkra Toshibas mål att nå 12 procents mindre CO₂-utsläpp än företagets Fab 4. Ett transportsystem för wafers förbinder anläggningen med Fab 3 och 4, som stöd för en effektiv tillverkning.

Flash Forward Ltd, ett joint venture mellan Toshiba och SanDisk som upprättades i september 2010 (50,1 procent ägt av Toshiba och 49,9 procent av SanDisk), finansierade den avancerade tillverkningsutrustningen inom Fab 5.

Filed under: Utländsk Teknik