Renesas lanserar nu ytterligare två stryktåliga minnen – ett med 16 Mbit och ett med 32 MBit lagringskapacitet – i en 110 nm-process och Advanced Low Power SRAM-teknik.

I tillämpningar där viktig information ska lagras är det så klart viktigt att fel inte uppstår. Det kan till exempel handla om att lagra systemprogram eller information om finansiella transaktioner och det här har enligt Renesas ökat kraven på tillförlitligheten hos SRAMs. Alfastrålning och kosmisk neutronstrålning kan orsaka så kallade mjuka fel och en på det problemet kan vara att bädda in en ECC-krets (error correcting code) i minnet. Denna lösning är dock begränsad till de olika ECC-kretsarnas förmågor och inkluderar enligt Renesas inte alltid fel som påverkar flera bitar samtidigt.

Renesas teknik "Advanced Low Power SRAM", som företaget presenterade för några år sedan och som realiserades i 150 nm-process, använder en struktur i minnescellen som skiljer sig från en cell som fullt ut är realiserad i CMOS genom att bland annat innehålla en stackad kondensator i varje minnesnod. (Minnesnoden är i det här sammanhanget en flip-flopkrets som ingår i varje minnescell som lagrar varje bit som "hög" eller "låg"). Till detta har Renesas gjort vissa förändringar i stukturen för N-kanalen i MOS-transistorn och övriga lager. Dessa åtgärder gör enligt företaget minnescellen över 500 gånger mer motståndskraftig gentemot mjuka fel som orsakas av alfastrålning och kosmisk neutronstrålning jämfört med en vanlig CMOS-cell.

De nya Advanced LP SRAM-serierna i 110 nm är döpta till RMLV1616A med 16 Mbit och och RMWV3216A med 32 Mbit minneskapacitet. Typvärde på strömförbrukningen i Stand by är 0,5 μA för 16 Mbit och 1 μA för 32 Mbit-varianten – mer än 50 procent lägre än jämförbara, tidigare SRAM-produkter från Renesas. Minimum matningsspänning för att behålla data är 1,5 V – en halv volt lägre än motsvarande tidigare produkter från företaget. RMLV1616A kan fås i tre olika kapslingar och RMWV3216A kommer i en 48-ball FBGA-kapsel. Båda serierna finns idag tillgängliga i provexemplar och massproduktion förväntas starta i oktober. Sedan tidigare finns Advanced LP SRAM-produkter med 4 Mbit och 8 Mbit minneskapacitet tillgängliga från företaget.

Filed under: Utländsk Teknik