Nu satsar även Microchip på brett bandgap, med högtemperaturskomponenter i kiselkarbid (SiC) för högspänd kraftelektronik. Tillverkningen görs av dotterbolaget Microsemi.

Microchips produktportfölj utökas därmed med 700 V MOSFETar och 1200 V Schottky-barriärdioder i kiselkarbid. Det rör sig om 35 olika diskreta som tillverkas i volym.

Speciell vikt har man lagt på tålighet mot transienta spänningar och strömmar och anger ungefär 20 procent bättre prestanda än hos andra SiC-dioder som utsätts för tålighetstest (UIS, Unclamped Inductive Switching). Dessa avslöjar försämring eller förtida fel under lavinartade förhållanden.

Även Microchips SiC MOSFETar anges ge bättre resultat än alternativen i sådana tålighetstester. Orsaken är en god skärmning av grindens oxid och en kanalintegritet vars parametrar försämras mycket lite under dess livslängd även efter 100 000 cykler av upprepad UIS-testning.

De nya komponenterna stöds av en rad olika SiC SPICE-modeller, referenskonstruktioner för SiC-drivkort och en referenskonstruktion för effektfaktorkorrigering (PFC).

Filed under: Utländsk Teknik