Microchip Technology har kvalificerat sin 250 V, 0,21 Ohm Rds(on), MOSFET M6 MRH25N12U3 för kommersiella flyg- och rymdtillämpningar samt rymdbaserade försvarssystem.

Microchips strålningshärdade M6 MRH25N12U3 MOSFET-krets tillhandahåller den primära switchdelen i spänningsomvandlingskretsar inkluderande POL-(point-of-load)-omvandlare, DC/DC-omvandlare, motordrivenheter och -styrning samt allmän omkoppling. MOSFET-kretsen klarar den tuffa miljön i rymden, ger bättre tillförlitlighet för spänningskretsar och tillgodoser samtliga krav enligt standarden MIL-PRF19500/746 med förbättrad prestanda. Microchip har fullbordat sin testning för översyn och kvalificering hos den amerikanska försvarsmyndigheten DLA (Defense Logistics Agency) för inkludering i den militära komponentarsenalen (JANSR2N7593U3-certifiering beräknas i juni 2021).

M6 MRH25N12U3 MOSFET-kretsen är utformad för framtida satellitsystem samt att fungera som ett alternativ i nuvarande system.

Kretsen kan motstå en total joniseringsdos (TID) på upp till 100 krad och 300 krad och effekter av enstaka händelser (SEE) med linjär energiöverföring (LET) på upp till 87 MeV/mg/cm2. I valideringstest uppvisar den 100-procentig strålningshärdighet per sats av kiselskivor.

– Microchips inträde på marknaden för strålningshärdade MOSFET-kretsar speglar vår långsiktiga ambition att stödja vår kundbas och tillhandahålla tillverkare av flyg-, rymd- och försvarsutrustning samt integratörer med högpresterande lösningar och fortgående leveranser, säger Leon Gross, vice vd för Microchips affärsenhet för diskreta produkter.

M6 MRH25N12U3 ingår i Microchips portfölj av flyg-, rymd- och försvarsteknik som inkluderar FPGA-kretsar, integrerade kretsar, linjära kretsar, spänningskretsar, diskreta kretsar och spänningsmoduler som integrerar både SiC- och Si-lösningar.

Filed under: Utländsk Teknik