SRAM med ultralåg effektförbrukning
Renesas introducerar ett inbyggt SRAM med viloeffekt på 13,7 nW/Mbit och 1,84 ns lästid. Minnet är bland annat avsett för extremt strömsnåla IoT-komponenter.
Minnestekniken har utvecklats för företagets 65 nm SOTB-process (silicon on thin BOX). Prototypen kombinerar mycket snabba lästider (1,8 ns i aktiv mod) med extremt låg effektförbrukning i viloläge (13,7 nW/Mbit). SOTB-strukturen gör det möjligt att få ner effektförbrukningen via dynamisk styrning av substratets back bias.
Kombinationen av snabb läsning och låg viloeffekt gör att minnet kan drivas intermittent och på det sättet nå extremt låg total effektförbrukning. Övergången mellan minnesaccess och viloläge innebär inte ökad effektförbrukning och minnestekniken klarar därför mycket täta intermittenta åtkomster med låg total effektförbrukning.
Den låga effektförbrukningen innebär att data kan lagras i RAM, utan att behöva flyttas till icke-flyktigt minne.
Filed under: Utländsk Teknik