Den kinesiska kiselsmedjan SMIC och Crossbar Inc. meddelar att de båda företagen tecknat ett avtal om strategiskt partnerskap kring utveckling och produktion av icke-flyktiga RRAM (Resistive Random Access Memory).

Som en del av partnerskapet, har SMIC och Crossbar tecknat avtal om att tillhandahålla RRAM-block  baserade på SMICs beprövade 40 nm CMOS tillverkningsprocess. Enligt de båda företagen gör detta det möjligt för kunder att integrera energisnåla inbäddade RRAM minnesblock med låg latens i styrkretsar och SoCs, med inriktning på marknaderna för sakernas Internet, bärbara datorer och pekdatorer, konsumentelektronik, industri och fordonselektronik.

– Vi är hedrade att tillkännage samarbetet med SMIC som en viktig språngbräda mot kommersialisering av vår RRAM-teknik, säger George Minassian, vd och grundare av Crossbar.

Crossbars RRAM CMOS-kompatibilitet och skalbarhet till små processgeometrier möjliggör integration av icke-flyktiga minnesblock på samma processnoder som för styrkretsar och SoCs. RRAM-cellerna integreras i standard CMOS-processer mellan två metallledningar på standard CMOS-wafers. Detta möjliggör enligt Crossbar extremt integrerade lösningar där on-chip icke-flyktigt minne kan kombineras med processorkärnor, analog teknik och RF på samma bricka.

Filed under: Utländsk Teknik