SiC-kapacitet för en miljard dollar
Cree kommer att investera upp till 1 miljard dollar för att öka produktionen av kiselkarbid och galliumnitrid på kiselkarbid med en faktor 30. Utbyggnaden skall vara klar om fem år.
Det handlar bland annat om en utbyggnad av North Fab för att producera 200 mm SiC-wafers på ett högautomatiserat sätt. Företaget kommer också att bygga en materialfabrik vid huvudkontoret i Durham N.C.
– Vi ser ett fortsatt stort intresse från fordonsindustrin och kommunikationsindustrin, säger Gregg Lowe, CEO för Cree. Men efterfrågan på kiselkarbid har för länge sedan passerat tillgången. Vår satsning kommer att öka tillgången dramatiskt och hjälpa kunderna att ta fram de produkter som behövs. Vi kommer att kunna öka vår waferkapacitet med en faktor 30, samtidigt som vi ökar produktionen material med lika mycket.
North Fab utgår från en befintlig anläggning, men kommer att byggas ut dramatiskt med 200 mm-utrustning. Fabriken kommer att vara helt fordonskvalificerad.
Filed under: Utländsk Teknik