Årets internationella konferens SiC 2019 ger en aktuell  sammanfattning av halvledarkomponenter med brett bandgap. Årets konferens kommer att spegla var halvledarindustrin och forskningen står idag och vad som är möjligt att implementera i applikationer.  Inte minst kan SiC och GaN spara energi.

Föredragen handlar inte enbart om diskreta SiC- och GaN-komponenter utan även om hur moduler är optimerade för att nå högsta möjliga verkningsgrad.

Årets viktiga konferens om halvledare i kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN),  SCAPE 2019, äger rum den 13-14 maj Radison Blue Royal Park Hotel I Stockholm. En tutorial genomförs den 12 maj hos RISE Acreo i Kista.

Läs mer om konferensen på webbadressen www.ri.se/en/scape-2019 där man också kan registrera sig som deltagare.

Konferensen anordnas, liksom under tidigare år, i ett samarbete mellan RISE, WBG power center (Acreo Swedish ICT, Swerim, KTH samt industripartners), Yole développement och Energimyndigheten.

Konferensen leds av professor Mietek Bakowski.

Konferensen om brett bandgap hette från början ISICPEAW, International Silicon Carbide Power Electric Applications Workshop och fick under namnet 2017 namnet IWBGPEAW, International Wide BandGap Power Applications Workshop, med tanke på ett allt större inslag av galliumnitrid, GaN. Förra året ändrades namnet till det mer uttalbara SCAPE, Silicon Carbide Applications Power Electronics.

Filed under: SvenskTeknik