Samsung Electronics utvecklar en ny transistorstruktur med hjälp av "miraklet-materialet" grafen som inte minskar elektronmobiliteten.

Grafen har en elektronmobilitet som är cirka 200 gånger högre än kisel. Grafen har därför ansetts vara en potentiell ersättare till kisel, trots att grafen, till skillnad från konventionella halvledande material, inte kan koppla bort strömmen eftersom det är ”semi-metalliskt”. Detta har blivit den viktigaste frågan i förverkligandet av grafen-transistorer. Tidigare lösningar och forskning har därför försökt att omvandla grafen till en halvledare. Men detta minskade radikalt mobiliteten i grafen, vilket lett till en skepsis över möjligheten att skapa grafen-transistorer, menar Samsung.

Samsungs nya transistor, som tagits fram av Samsung Advanced Institute of Technology, uppges kunna stänga av strömmen i grafen utan att försämra mobiliteten. Företaget har visat upp en variabel grafen-kisel Schottky-barriär som kan koppla till och från ström genom att kontrollera höjden på barriären. Den nya enheten har fått namnet Barristor, efter just denna styrfunktion.

Dessutom uppges Samsung Advanced Institute of Technology tillverkat grundläggande logikgrindar (inverterare) och logikkretsar (halv-adderare) och uppvisat grundläggande operationer (addering).Samsungs nya teknik och grafentransistorn har tidigare under månaden beskrivits i tidskriften Science där det också framgår att Samsung uppnått en modulering på 10⁵ (till/från) genom att variera gatespänningen för att styra Schottky-barriären.

Filed under: Utländsk Teknik