Samsung Electronics meddelar att de är först med att starta produktion av ett mobilt 4 gigabit (Gb) LPDDR2 DRAM-chip i en 30 nm-klassad processteknologi.

Det nya 4Gb low power double-data-rate 2 (LPDDR2) DRAM-chipet tillverkas i en 30 nm-klass processteknik vilket innebär att produktionen sker i en tekniknod mellan 30 nm och 39 nm.

Samsung utvecklade det nya 4Gb LPDDR2 DRAM-chipet i december förra året och började massproducera det tidigare under innevarande månad. Produktiviteten uppges öka med 60 procent jämfört med tidigare 40nm-klass, 2Gb LPDDR2 DRAM. Också hastigheten på dataöverföringen har ökat till 1.066 Mbit/s, vilket är mer än en fördubbling jämfört med dagens MDDR på mellan 333 till 400 Mbit/s.

Genom en högre densitet har Samsung fått ner upptagen höjd från 1,0 mm till 0,8 mm. För att skapa ett DRAM på 1GB (8Gb) behövdes det förut att fyra stycken chip staplades ovanpå varandra. Nu krävs det bara två. Effektförbrukningen uppges också ha minskats med 25 procent.

Samsung planerar att starta produktionen av 4Gb LPDDR2-baserade 1GB DRAM den här månaden och tillverkningen av 2GB (16 Gb) DRAM innehållande fyra stycken 4Gb-chip nästa månad.

Filed under: Utländsk Teknik