Samsung Electronics har slutfört processutvecklingen och startat produktionen av sin nya 7 nm LPP-process. Processen använder EUV-litografi (extrem UV) för de mest kritiska lagren och innebär en framkomlig väg mot 3 nm.

– Vår nya processnod är en tyst revolution inom halvledarindustrin, säger Charlie Bae, executive vice president för Samsungs foundry sales and marketing team. Vi har genomfört ett fundamentalt skifte i hur halvledare produceras och det ger kunderna möjligheter att snabba komma ut på marknaden med bättre konstruktioner och bättre yield. Vi är övertygade om att den nya processen kommer att användas inte bara för mobil- och HPC-applikationer, utan också för en rad andra applikationer med mycket höga krav.
EUV använder ljus med en våglängd av 13,5 nm för att exponera kiselwafers. Det skall jämföras med de 193 nm som används normalt sett. För att klara processer med upplösningar runt 10 nm krävs normalt sett fasskiftsmasker med många masker per lager. EUV-litografi kan med en enda mask göra det som annars kan kräva upp till fyra masker.
Enligt Samsung minskar EUV-tekniken antalet masker med 20 procent för en jämförbar process. Tekniken ger också ett betydligt bättre utnyttjande av kiselarean. Samsung hävdar att yteffektiviteten i den nya processen är upp till 40 procent bättre i den nya processen jämfört med företagets 10 nm FinFET-process. Den nya processen ger också upp till 20 procent högre prestanda, alternativt halva energiförbrukningen vid samma prestanda.

Filed under: Utländsk Teknik