Imec och Globalfoundries har startat ett samarbete för att vidareutveckla STT-MRAM-tekniken och göra den kommersiellt gångbar. Tekniken har potential att ge minnen med 1 ns accesstid och skalbarhet under 10 nm.

STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory) är en teknik som länge varit aktuell i forskningssammanhang och som har stora möjligheter att bli ett alternativ till traditionella SRAM- och DRAM-tekniker. I det nya samarbetet, som leds av Imec och Globalfoundries, är tanken att föra samman halvledartillverkare, IDMer, fablösa- och "fab lite"-tillverkare, kapslingsföretag och materialföretag för att ge tekniken en solid kommersiell grund.
– Nya minnestekniker är nödvändiga om vi skall kunna fortsätta att innovera i samma takt, säger Gregg Bartlett, CTO hos Globalfoundries.

Filed under: Utländsk Teknik