ROHM meddelar att deras SCT2080KE SiC MOSFET:ar används i Fukushima SiC Applied Engineerings nya högspänningspulsgeneratorer (SiC-Pulser-serien) som lanserades i november, 2014. Detta är enligt Rohm världens första praktiska tillämpning av kiselkarbid i en pulsgenerator.

Pulsgeneratorer används i en mängd olika tillämpningar, inklusive högspänningsacceleratorer, plasmageneratorer och laserbearbetningsmaskiner. Konventionella system använder kiselkomponenter eller vakuumrör som kopplingselement. Men detta medför ofta ett stort antal systemkomponenter som i sin tur resulterar i enorma bygg- och installationskostnader, enligt Rohm.

SiC omkopplingselementen kombinerar hög genombrottsspänning med låg resistans och höghastighets omkopplingsprestanda. Genom att använda SiC-enheter i omkopplingsmodulen kan pulsgeneratorer göras betydligt mindre och ge en prestandanivå som inte kan uppnås i konventionella system.

 – Vid utvecklingen av denna revolutionerande pulsgenerator utvärderade vi ett antal olika kopplingselement. Som ett resultat av det bestämde vi att Rohms SiC MOSFET:ar uppfyllde våra kriterier för tillförlitlighet och prestanda. Detta markerar världens första praktiska tillämpning av SiC i en pulsgenerator, säger Kokubo, vd för Fukushima SiC Applied Engineering Inc.

Han förklarar också hur olikt detta system är från de konventionella.

– När man till exempel försöker konstruera en normal ledande linjär Linac (linjär accelerator) med en utgångsstråle på storleksordningen tiotals kW kommer konventionell accelerationsteknik med vakuumrör att resultera i en linjär accelerator som är 1600 m lång. Men genom att införa SiC-baserad accelerationsteknik kan vi minska längden på linjäracceleratorn till mindre än 6 m, och därmed minska kostnaderna för konstruktion och installation avsevärt.

Sedan Tohoku-jordbävning i mars 2011 stödjer Kokubos företag återuppbyggnaden genom att implementera ”bygga på beställning”-tillverkning av avancerade kraftelektronikprodukter som använder dessa SiC-enheter vid Fukushimas anläggning.

Rohm meddelar att de nu rampar nu upp produktionen av specifika kiselkarbidprodukter för kraftsektorn. Företaget uppger att SCT2080KE SiC MOSFET:ar minskar switchförlusterna med mer än 70 procent jämfört med de IGBT:er i kisel som allmänt används i växelriktare. Stödet för högre switchfrekvenser möjliggör användning av mindre perifera komponenter, som bidrar till en miniatyrisering av slutprodukten.

SiC-enheter används redan i omvandlare och växelriktare i industriell utrustning och kraftapparater för solenergisystem.

Filed under: Utländsk Teknik