Renesas Electronics släpper nu sex nya produkter i en 8:e generation IGBT:er klassade från 650 V/40 A till 1250 V/75 A med ett förbättrat prestandaindex på 30 procent. Företaget säger sig också vara först i branschen med att kapsla in en 1250 V IGBT med inbyggd diod i en TO-247 plus-kapsel.

Renesas släpper sex nya IGBT-produkter i sin G8H-serie för 650 V/40 A, 50 A och 75 A, och 1250 V/25 A, 40 A och 75 A med en ny trenchgatekonfigurering som ger både snabbare switchning och lägre ledningsförluster genom en lägre mättnadsspänning (VCE (sat)), och som tillsammans utgör ett IGBT-prestandaindex.  I jämförelse med föregående 7:e generationens IGBT:er säger sig Renesas nu lyckats förbättra detta index med upp till 30 procent. Enligt företaget är dessa förbättringar viktiga för kraftindustrin, med fokus på växelriktare till solceller (PV), UPS:er, industriell motordrift och effektfaktorkorrigering (PFC).

Företagets 8:e generation IGBT:er uppges även generera betydligt mindre gatebrus under omkoppling vilket innebär att det nu går att eliminera det gatemotstånd som tidigare behövts för att minska bruset. Komponenterna kommer i en TO-247-kapsling med en undersida av metall och en specificerad övergångstemperatur på 175° C. Renesas uppger sig också tagit fram industrins första 75 A 1250 V IGBT med inbyggd diod i en TO-247 plus-kapsling.

Massproduktion är planerad att inledas i september 2016 och förväntas nå en volym på 600.000 enheter per månad i mars 2017.

Filed under: Utländsk Teknik