Peregrine Semiconductor kommer att utveckla sin nästa generations UltraCMOS tillsammans med IBM Microelectronics enligt ett exklusivt avtal. Planen för SOS, silicon-on-sapphire, utmynnar först i en 180 nm process. Senare följer 130 och 90 nm. Peregrine har hittills levererat 600 miljoner kretsar i UltraCMOS.

Peregrine Semiconductor Corporation berättar idag (10 maj) om ett exklusivt samarbetsavtal med IBM som gäller utveckling och tillverkning av framtida generationer av Peregrines patenterade kisel-på-safir-(SOS)-processteknik UltraCMOS. Det är den RF CMOS-process som har industrins högsta prestanda tack vare att processen ger mycket låg grad av parasiter.
När den gemensamt framtagna 180 nm processen är fullt kvalificerad kommer nästa generations UltraCMOS RF-kretsar att tillverkas vid IBMs anläggning för halvledartillverkning på 200 mm-skivor i Burlington, Vermont.
Peregrines UltraCMOS-teknik ger mycket goda RF-prestanda och passar för monolitisk integrering för applikationer med hög tillväxt såsom den radiodelens ingångssteg i mobiltelefoner och mobil flerfunktions-, flerbandsutrustning; bredbandskommunikation inkluderande 4G LTE-utrustning och basstationer; mobil DTV/CATV RF-signalbehandling; samt rymdsatellitsystem.
IBMs och Peregrines halvledarprocesser representerar den första kommersiella användningen av 200 mm (8-tum) skivor för kisel-på-safir-processen (SOS) – en patenterad variant av kisel-på-isolator-(SOI)-teknik. SOS innebär ett ultratunt lager av kisel på ett högisolerande safirsubstrat.
– Vi är mycket glada över att samarbeta med Peregrine för att möjliggöra nästa generation av RF-kretsar på safir och utöka vårt ledarskap inom isolerande substrat genom tillägg av 180 nm UltraCMOS-processen till vår portfölj av RF SOI-tekniker, säger Regina Darmoni, chef för IBMs tillverkningsverksamhet inom analogakretsar, blandsignalskretsar och digitala kretsar.
Övergången till 200 mm skivor underlättar utvecklingen av processen till de avancerade noderna 180 nm, 130 nm och 90 nm. Det ger också tillgång till avancerade tillverkningsverktyg och ger väsentligt utökad möjlighet till digital integrering. Dessutom ger avtalet med IBM, genom företagets tekniska partner, mycket hög tillverkningskapacitet och en robust leveranskedja.
Samarbetet mellan de två företagen inleddes 2008 när möjligheten att använda CMOS för RF-konstruktioner växte fram som ett möjligt alternativ till halvledarprocesser baserade på föreningar såsom galliumarsenid (GaAs). Fördelarna med CMOS inkluderar tillförlitlighet, kostnadseffektivitet, högt utbyte, överförbarhet, skalbarhet och integrering, av vilka UltraCMOS uppvisar samtliga. Dessutom är Peregrine känt för sin satsning på teknisk innovation och imateriell egendom som ger framsteg inom UltraCMOS-teknik.
En av de tidigaste innovationerna var konstruktionsmetoden HaRP som medförde mycket låga nivåer av övertoner.
För ett och ett halvt år sedan presenterade Peregrine DuNE-tekniken, som innebär digitalt justerbara kondensatorer med stort variationsområde och höga Q-värden.
Drygt 600 miljoner UltraCMOS RF-kretsar har tillverkats av Peregrins tillverkningsenheter under de senaste åren. Tillverkningen på safirsusbtrat gynnas nu av de enorma mängder safir som används av den snabbt expanderande LED-belysningsindustrin.
Provexemplar av de första 180 nm UltraCMOS RF-kretsarna har sänts till utvalda kunder och tillverkning i kommersiell skala väntas under 2011.  Till de första planerade produkterna hör komponenter till konfigurerbara radioingångar ("front-end") för mobiltelefoner i form av kraftfulla RF-switchar, justerbara komponenter och effektförstärkare.

Filed under: Utländsk Teknik