Peregrine Semiconductor introducerar nu en RF-switch som uppges vara industrins första SOI-omkopplare för 40 GHz, (10 GHz-40 GHz). RF-switchen utökar Peregrines komponentportfölj för höga frekvenser.

Som ett alternativ till GaAs-baserade lösningar uppge företaget att deras single-pole double-throw (SPDT) RF-switch ha hög tillförlitlighet och prestandafördelar i linjäritet, isolering, inställningstid och ESD-skydd. Tillämpningarna finns inom prov-och-mät, mikrovågs-backhaul och radar och militära kommunikationsenheter.

Peregrines portfölj med högfrekvensomkopplare, som omfattar 13 GHz, 18 GHz, 26,5 GHz och nu 40 GHz-omkopplare, tillverkas med Peregrines UltraCMOS-teknik, en patenterad variant av SOI-teknik på safirsubstrat. Enligt företaget erbjuder Safirsubstratet flera viktiga fördelar för högfrekvent design. Safir har en förlustfaktor som är 10 gånger bättre än bulk-CMOS och tre gånger bättre än GaAs. Safir har också en hög isolering och minimerar parasiterande kapacitanser, enligt företaget.

Peregrines PE42524 är en single-pole double-throw (SPDT) RF-switch med hög port till port-isolering, låg inlänkningsdämpning, utmärkt linjäritet och behöver inga blockerande kondensatorer om likspänning inte är närvarande på RF-portarna. PE42524 finns som en flip-chip med 500 µm bump-pitch, vilket eliminerar högfrekventa prestandavariationer på grund av bondtrådens varierande längd, enligt Peregrin.

Filed under: Utländsk Teknik