Renesas Electronics Corporation har utvecklat en optiskt kopplad MOSFET med full elektrisk isolation förpackad i en 2,9 mm × 2.3 mm kapsel, vilket upptar 40 procent mindre kretskortsyta än företagets nuvarande produkter.

Den nya kretsen PS7901D-1A ingår nu i Renesas befintliga PS78-produktserie och uppges också garantera I/O isolationsspänningar på 500 V r.m.s. Kretsen mäter 2,9 mm × 2.3 mm, att jämföras med företagets motsvarande andra kretsar på 4.6 mm × 2.5 mm. Det ger en besparing på upptagen kretskortsyta på 40 procent med bibehållet värde på isolationsspänningen.

En optiskt kopplad MOSFET (produktkategorin kallas också solid state relay, SSR) innehåller en LED och en PVD, för att få elektrisk isolation, samt en MOSFET på utgången. Ett problem med MOSFET:ar är signalkomponentläckaget (signal component leakage) via kapacitansen på utgången i ”current-off”-läge. PS7901-1A har ett kapacitansvärde på utgången på 0,75 pF (typ.) vilket är en minskning med 25 procent jämfört med företagets andra, motsvarande produkter och ska enligt företaget vara bland de lägsta inom industrin. Renesas har också lyckats få ner läckströmmarna med 70 procent från 100 pA till 30 pA (typ.). LED-strömmen på ingången (Ifon) är 4 mA (max.).

Tillämpningarna för PS7901-1A anges finnas i IC-testare, utrustning för industriautomation och i kontorsutrustningar.

Filed under: Utländsk Teknik