ROHM semiconductor har utvecklar en ny generation Schottky-barriärdioder i Kiselkarbid (SiC) som ger lägre förluster och tål högre spänning jämfört med sina motsvarigheter i kisel.

SCS110A utlovas även tåla högre framspänning och ha lägre resistans i framriktningen jämfört med andra motsvarande dioder i kiselkarbid på marknaden.  De passar särskilt väl i kretsar för effektfaktorkorrigering, spänningsomvandlare och invertrar, t ex sådana som används för elektriskt drivna fordon och hybridbilar samt för luftkonditionering.
Den nya SCS110A-seriens dioder har en återhämtningstid (reverse recovery time, t_rr) av bara 15 ns, att jämföra med 35 till 50 ns för konventionella frihjulsdioder i kisel. Som ett resultat minskas förlusterna med så mycket som två tredjedelar vilket även leder till minskat värme.  Därmed kan de produkter, som bygger på dessa SiC-dioder, fås att tåla ett större temperaturområde än med Si-dioder och kylflänsarna kan minskas.
Jämfört med Shottky-barriärdioder i Si kan de nya SiC-dioderna ha 15 procent mindre chipyta. De har lägre T_rr, bättre temperaturkarakteristik och lägre framspänning, V_F = 1,5 V vid 10 A, vilket resulterar i högre verkningsgrad.
ROHM har löst de produktionsproblem som vanligen förknippas med massproduktion av Schottky-barriärdioder i SiC, nämligen att få likformiga Shottky-övergångar och att skapa ett lager av en skyddsring utan att behöva använda en högtemperaturprocess
ROHM har under lång tid bedrivit forskning och utveckling inom SiC. En prototyp av en MOSFET i SiC presenterades 2004, följd av moduler och Schottky-barriärdioder. På basis av rapporter från kunder förbättrade man tekniken under 2005. Det ledde till att man tog fram en process för enhetlig produktion av SiC-komponenter och man övertog den tyska wafer-tillverkaren SiCrystal AG för att säkra leveranser av högkvalitativa SiC-wafers.

Filed under: Utländsk Teknik