Intel och Micron krymper tillverkningstekniken för NAND Flash-minnen till 20 nanometer. Det innebär att ett 8 Gbyte MLC NAND-chip kräver bara 118 kvadratmillimeter.

Den nya minneskretsen gör det möjligt att minska kretskortsstorleken med mellan 30 till 40 procent (beroende på förpackningstyp) jämfört med företagens nuvarande 25-nanometerskretsar. Detta ger tillverkare möjlighet att använda utrymmet till andra produktförbättringar såsom större batteri, större skärm eller ytterligare en krets för att hantera nya funktioner.
Flashminneskretsarna tillverkas av IM Flash Technologies, som är Intels och Microns gemensamma företag för NAND-flashteknik. Att krympa tekniken på detta sätt är den mest kostnadseffektiva metoden att öka de befintliga fabrikernas tillverkningskapacitet med cirka 50 procent mätt i Gbyte. Den nya 20 nanometerstekniken har liknande prestanda och livslängd som den tidigare 25-nanometers NAND-tekniken.
Just nu produceras testenheter av de nya kretsarna (8 Gbyte) och massproduktion förväntas starta under andra halvan av 2011. Intel och Micron planerar även att under hösten visa upp prover på kretsar med en kapacitet på 16 Gbyte, som gör det möjligt att tillverka lagringsenheter med 128 Gbyte kapacitet och som är mindre än ett normalt frimärke.

Filed under: Utländsk Teknik