Fujitsu Laboratories meddelar att de utvecklat en liten och snål CMOS effektdetektor med inbyggd temperaturkompensering avsedd för smarttelefoner och andra mobila terminaler. Detektorn kräver endast 1/25-dels monteringsarea och förbrukar 1/10-dels effekt jämfört med konventionella detektorer.

Forografi av den nyutvecklade detektorn.

Att minska den monterade yta som krävs för komponenter och kretsar i mobila terminaler är en viktig faktor för att minska deras totala storlek och kostnad. Men effektdetektorer upptar en relativt stor monteringsyta eftersom de detektorer som används i sändare för trådlös kommunikation typiskt består av flera RF-förstärkare. Dioder är kända för att vara ett alternativ för att göra effektdetektorer mindre, men deras egenskaper förändras med temperaturen och att få till den temperaturkompensation de kräver har varit problematiskt.

Fujitsu Laboratories meddelar att de nu har utvecklat en diodbaserad effektdetektor i en 90 nm CMOS-process med en teknik som ger samtidig temperaturkompensering och resulterar i en effektdetektor med en upptagen yta på endast 0,04 mm² och effektförbrukning på 0,3 mW. Jämfört med konventionella detektorer är detta mindre än 1/25-del av den monterade arean och effektkonsumtionen minskas till 1/10.

Detektorn stödjer tre frekvenser som används av WCDMA, nämligen band I (2,1 GHz), band V (850 MHz) och band IX (1,7 GHz) och kretstekniken kan appliceras till LTE-standarden. enligt ett pressmeddelande.

En utförlig beskrivning av Fujitsus nya detektor kan nås via den här länken.

Filed under: Utländsk Teknik