Transphorm och ON Semiconductor meddelar att de startat massproduktionen av två av sina GaN högspänningstransistorer och samtidigt introduceras en 240 W referensdesign med ett utvecklingskort.

Transphorm Inc. meddelar idag på APEC 2015 att de i ett tidigare annonserat samarbete med ON Semiconductor introducerar två 600 V galliumnitrid (GaN) cascode-transistorer och en 240 W referensdesign. De båda transistorerna marknadsförs gemensamt av de båda företagen men har olika produktnummer.

De båda GaN-transistorerna, med en typisk on-resistans på 150 respektive 290 mΩ, är döpta till TPH3202PS (ON Semi´s motsvarighet: NTP8G202N) och TPH3206PS (ON Semi´s motsvarighet: NTP8G206N) och levereras inneslutna i en TO-220-kapsel.

– Vid förra årets APEC 2014 visade vi de evalueringskort som använder våra 600 V TO-220 HEMT:ar. På årets utställning är vi glada att tillsammans ON Semiconductor kunna visa upp kompletta GaN-specifika referenskonstruktioner, säger Primit Parikh, vd och grundare av Transphorm.

Utvecklingskortet, som levererar 12V och 20 A, är uppbyggt i två steg och benämns NCP1397GANGEVB (Transphorms motsvarighet: TDPS250E2D2). Kortet erbjuds som en komplett referensdesign för GaN cascode-transistorer i kraftkonstruktioner.

Ett första steg likriktar växelspänning till likspänning med en 98-procentig effektivitet och utnyttjar ON Semiconductors NCP1654 för styrning av effektfaktorkorrigering. Det andra steget, LLC DC-DC, använder företagets NCP1397 för resonansmodstyrning och har en 97-procentig verkningsgrad vid full belastning. Dessa prestanda uppnås vid 200 kHz och däröver och möter EN55022 klass B EMC-prestanda, enligt företagen.

Transphorms GaN HEMT-kretsar massproduceras vid Fujitsu Semiconductorgruppens CMOS-kompatibla, 150 mm waferfabb i Aizu-Wakamatsu, Fukushima, Japan.

Filed under: Utländsk Teknik