Global Foundries (GloFo) lanserar nu en ny teknikplattform i en 22 nm nod döpt till 22FDX som uppges leverera ”FinFET-liknande” prestanda och energieffektivitet till en kostnad som är jämförbar med 28 nm planarteknik avsedd för mobila enheter, sakernas Internet (IoT), RF-anslutningar och nätverksmarknaden.

Medan vissa tillämpningar kräver de ultimata prestanda som tredimensionella FinFET-transistorer ger behöver de flesta trådlösa enheter bara en bättre balans mellan prestanda, strömförbrukning och kostnad. Det är denna balans som GloFo siktat in sig på med sin nya 22FDX-plattform.

22FDX är branschens första teknikplattform som använder en 22 nm tvådimensionell FD SOI-teknik och som enligt GloFo erbjuder branschens lägsta driftspänning på 0,4 volt, vilket möjliggör extremt låg dynamisk energiförbrukning, mindre termisk påverkan och en mindre formfaktor för slutprodukten. Vidare hävdar GloFo att plattformen ger en 20 procent mindre brickstorlek och 10 procent färre masker än 28 nm-tekniken liksom nästan 50 procent färre immersionlitografiskikt än foundry FinFET.

22FDX utnyttjar GloFos 28 nm produktionslina vid företagets fabrik (Fab1) i Dresden, Tyskland och investerar 250 miljoner dollar där för teknikutveckling och för att skapa en inledande 22FDX-kapacitet. Detta innebär att bolaget nu har investerat mer än 5 miljarder dollar i sin Fab 1 sedan 2009. Bolaget planerar att göra ytterligare investeringar för att stödja kundernas efterfrågan. GloFo uppges samarbeta inom FoU med industriledande företag för att utveckla ett robust ekosystem och möjliggöra snabbare time-to-market.

Företagets 22FDX-plattform möjliggör mjukvarustyrning av transistorernas egenskaper för att uppnå en realtidsavvägning mellan statisk kraft, dynamisk kraft och prestanda. Plattform består av en familj differentierade produktarkitekturer som stödjer behoven hos olika applikationer:

• 22FD-ulp: Är avsedd för mainstream, billiga smartphonemarknaden. Den utgör företagets bas för ultralåg energiförbrukning och erbjuder ett alternativ till FinFET. Genom att använda body bias levererar 22FD-ulp en mer än 70 procentig effektminskning jämfört med en 0,9 volt 28 nm HKMG och prestanda som motsvarar FinFET. För vissa IoT- och konsumentapplikationer kan plattformen arbeta vid 0,4 volt, vilket ger upp till en 90 procentig minskning av energiförbrukningen jämfört med 28 nm HKMG-tekniken.

• 22FD-uhp: Är avsedd för nätverksapplikationer med analog integration och är enligt GloFo optimerad för att uppnå samma ultrahöga prestanda som för FinFET och samtidigt minimera energiförbrukningen. 22FD-uhp-anpassningarna inkluderar framåt ”body bias”, applikationsoptimerade metallstackar och stöd för 0,95 volt overdrive.

• 22FD-ull: Är avsedd för tillämpningar som kräver extremt lågt läckage såsom för elektroniska accessoarer och sakernas Internet. Den har enligt GloFo samma kapacitet som 22FD-ulp men har samtidigt ett minskat läckage på 1 pA/µm. Kombinationen med låg aktiv effektförbrukning, ultralågt läckage och flexibel ”body bias” kan enligt GloFo aktivera en ny klass batteridrivna bärbara enheter med en storleksordning på effektminskningen.

• 22FD-rfa: Den här arkitekturen är avsedd för analoga RF-erbjudanden och ger enligt GloFo en 50 procentig lägre effektförbrukning vid reducerad systemkostnad för att uppfylla de stränga kraven på RF-applikationer med höga volymer såsom för LTE-A cellulära sändtagare, högre ordningens MIMO WiFi kombinationschips och millimetervågsradar. RF aktiva ”device back-gate”-funktionen kan enligt GloFo minska eller eliminera komplexa kompensationskretsar i den primära RF-signalvägen så att RF-konstruktörer att utvinna mer av den inneboende enhetens Ft-prestanda.

GlobalFoundries uppges ha haft ett nära samarbete med nyckelkunder och ekosystempartners för att ta fram en optimerad designmetodik och en fullständig uppsättning grundläggande och komplexa IP. Ett designstartpaket och tidiga versioner av processdesignsatser (PDKs) finns tillgängliga nu med vad företaget kallar en ”riskproduktion” från och med andra halvan av 2016.

Filed under: Utländsk Teknik