Ett team (Daisuke Matsubayashi et al) från japanska Semiconductor Energy Laboratory Co beskrev på IEDM hur de hade åstadkommit en MOSFET med den otroligt låga läckströmmen <0,1 pA.

Transistorn är av typen ”gate-all-around” MOSFET, alltså där kanalen omges av gaten. Trots utformningen, för att få så låg läckström, har transistorn en gränsfrekvens som ligger högre än 10 GHz.
Transistorerna är byggda med utgångspunkt i en tunnfilm av indium-gallium-zinkoxid (IGZO). En självlinjerande process användes för att förhindra överlappning från gaten till source och drain. Detta har utmynnat i en kanal som är immun från kort-kanaleffekter vilka i annat fall hade begränsat prestanda.
En DRAM-minnescell, byggd med dessa transistorer med extremt låg läckning i icke ledande tillstånd, höll kvar data i mer än 10 dagar vid 125°C.

I dessa bilder, tagna med ett scannande transmissions-elektronmikroskop, ser vi uppbyggnaden i kanalens riktning  på längden (a), respektive på tvären.

Filed under: Halvledarteknik