Under de senaste åren har marknaden för högfrekvenskomponenter i galliumnitrid, GaN, ökat kraftigt. Under 2017 såldes RF-effektkomponenter i GaN för 380 miljoner dollar. Och analysföretaget Yole Développement spår en mer än trefaldig ökning i sin senaste marknadsrapport.

Tillväxten var särskilt hög inom telekommunikations- och försvarstillämpningar. Dessa marknader växer 20 procent årligen. Under 2019 – 2020 kommer ytterligare ett tillväxtområde, nämligen 5G mobilnät. Med den marknaden inkluderad växer totalmarknaden för RF GaN 22,9 procent per år, vilket sammantaget ger en 3,4 gånger så stor marknad.

Yole Développement beskriver i sin rapport olika marknader för RF GaN, sådana som trådlös infrastruktur, försvar och rymd, satellitkommunikation, trådlöst bredband som omfattar både kabel-TV och fiber-till-hemmet och i infrastruktur för fria band som används inom industrin, vetenskap och medicin.

Bland de marknadsaktörer som växer utpekar rapporten Sumitomo Electric, Wolfspeed, Qorvo, M-A/com, UMS, NXP, Ampleon, RFHIC, Mitsubishi Electric, Northrop Grumman och Anadigics.

De aktörer som dominerar marknaden är Sumitomo, Qorvo och Cree. Enligt rapporten väntas marknadsbilden förändras i och mer att fler ”GaN-smedjor”, foundries, växer fram.

Utvecklingen mot 5G innebär att millimetervågsfrekvenser tas i anspråk. Här kan GaN ersätta LDMOS som inte kan åstadkommas för dessa frekvenser. GaAs passar inte för höga effekter men kan exempelvis användas i makroceller där materialet kan ge fördelar. Det finns ett stort civilt behov av GaN som ersättare. Men rapporten varnar för att utvecklingen kan hämmas av en militär satsning på GaN. Regeringar kan blockera affärsöverenskommelser. Vi har redan sett två exempel på det: Dels hindrades Infineon att överta Wolfspeed, som nu har återförts till Cree, dels hindrades Aixtron från att överta FGC Investment fund.

GaN-transistorer är fortfarande dyra. Men Yole förutspår att ökade volymer skall leda till sänkta priser. Goda resultat i att framställa nya kapslar kan också bidra till det: dagens plastkapslar ersätts av nya material och nya metoder för infästning av GaN-brickan.

Filed under: SvenskTeknik