Årets ISICPEAW, äger denna gång rum på Marriott Courtyard Stockholm Kungsholmen Hotel.  Konferensen handlar i år inte enbart om halvledare i kiselkarbid, SiC, utan även galliumnitrid, GaN. Den avslutas med en paneldiskussion om för och nackdelar av SiC, GaN eller Si på basis av en marknadsrapport från Yole om halvledare med brett bandgap.

Marknaden för SiC-komponenter fortsätter att utvecklas. De behövs i allt större omfattning med tanke på jakten mot ökad verkningsgrad av miljöskäl. Toyota har exempelvis under ett år tillbaka tillverkat både bilar och bussar som innehåller SiC-halvledare.  En av de inbjudna talarna kommer att tala om Toyotas erfarenheter av SIC i miljöanpassade fordon.  Andra inbjudna talare kommer från Wolfspeed, ETH, Schneider Electric, FBH Berlin, Panasonic och Yole Développement.
Det preliminära programmet kan ses här:
https://www.b2match.eu/isicpeaw2016/pages/11630-preliminary-programme
Woolfspeed, Rohm, Mitsubishi, Infineon, Semicron, Fairchild, United Silicon Carbide och GE kommer att berätta om nya utvecklingar av komponenter och moduler.
Konferensen anordnas i ett samarbete mellan SiC Power Center (ett initiativ av Acreo Swedish ICT, KTH och Swerea Kimab), Enterprise Europe Network och Yole Devéloppement .
Konferensen (”workshop”) pågår 18 och 19 maj, följd av en dags ”tutorial”.
Anmälan till workshop och tutorial kan göras på:
https://www.b2match.eu/isicpeaw2016

Filed under: SvenskTeknik