Intel och Micron inviger ny anläggning
Intel Corporation och Micron Technologies gemensamma joint ventureföretag IM Flash Technologies utökar sin verksamhet inom NAND-flashminnen med en officiell invigning av ny IM Flash-anläggning i Singapore.
Den 3 miljarder dollar dyra anläggningen beräknas sysselsätta cirka 1 200 och ökar produktionen av bolagens 25 nanometer (nm) NAND flash-minnen i 300 mm wafers.
– På bara fem korta år har Intel och Micron haft ett framgångsrikt samarbetat för att bli branschens NAND Flash ledare Öppnandet av IM Flash Singapore markerar ytterligare viktig milstolpe i vårt samarbete och kompletterar Microns Singaporeverksamhet som fungerar som vårt företags asiatiska nav, säger Steve Appleton, Micron ordförande och vd.
– Partnerskapet mellan Intel och Micron har varit mycket framgångsrik i att utveckla innovativ NAND flash-tekik. Samriskföretaget IM Flash samriskföretaget har kunnat skapa en enorm drivkraft och branschledande funktioner för tillverkning. Vi ser fram emot att lägga IM Flash Singapore till vårt globala produktionsnätverk, Dave Baglee, Intel Vice President and Director of NAND Manufacturing and Operations.
IM Flash har ökat produktionen av 25nm NAND-flashminne i Singapore-anläggningen sedan mitten av 2010. Anläggningen beräknas vara i full produktion senare under 2011.
Tillsammans med den nya anläggningen i Singapore har det gemensamma riskföretaget produktion på två andra gemensamma platser: Lehi, Utah, och Microns Manassas, Va. Intel och Micron har också nyligen introducerat en 20 nm NAND-flash processteknik som uppges komma att implementeras vid IM Flash-anläggningar under 2011.
Filed under: Utländsk Teknik