Hynix Semiconductor och Toshiba har kommit överens om att ingå ett strategiskt samarbete om utvecklingen av så kallade Spin-Transfer Torgue Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM).

När teknikutvecklingen är slutförd avser företagen samarbeta kring tillverkningen av MRAM-produkter i ett gemensamt företag. Hynix och Toshiba har också utökat sina korsvisa överenskommelser avseende patentlicenser och produktförsörjning.

En rad exceptionella egenskaper har givit MRAM en status som en lovande framtida minnesteknik – ett icke-flyktigt minne som också är energieffektivt och som kan verka vid extremt hög hastighet. Applikationer som kräver minnen med hög densitet förväntas få fördelar med MRAM och viktiga, initiella tillämpningar väntas komma inom mobilmarknaden, som framför allt kräver låg strömförbrukning. Att utveckla en ny teknik är alltid föremål för risker. En anledning till att slå samman nödvändiga resurser och expertis från Hynix och Toshiba är att minimera risken och öka takten i kommersialiseringen av MRAM, enligt ett pressmeddelande.

– MRAM är en sällsynt ”juvel” full av spännande egenskaper såsom mycket höga hastigheter, låg energiförbrukning och hög kapacitet. MRAM kommer att spela rollen som en viktig faktor för att driva på utvecklingen inom minnen. Det kommer också att passa perfekt för konsumenternas ökande efterfrågan på mer avancerade smarttelefoner. MRAM är vår nästa plattform för tillväxt, säger Hynix vd Oh Chul Kwon.

– Vi tror att MRAM har en enorm potential som skalbart icke-flyktigt RAM. Vi kommer att starkt främja initiativ i integrationen av lagringslösningar, inklusive MRAM, NAND, och HDD. Det MRAM-gemensamma utvecklingsprogrammet med Hynix är ett av de viktigaste stegen till stöd för våra ansträngningar, säger Kiyoshi Kobayashi, Corporate Senior Vice President för Toshiba Corporation och vd för Toshibas Semiconductor and Storage Products Company.

Spin-Transfer Torgue Magnetoresistance RAM (MRAM)
MRAM är ett nästa generations minneslösning som använder magnetiska egenskaper för att lagra data. I MRAM kan data bestämmas genom att mäta skillnaden i motståndet från magnetiseringen på en magnetc tunnel junction (MTJ). Data skrivs och sparas genom att omorientera magnetiseringen av ett tunt magnetiskt lager i ett tunnel magnetoresistance (TMR)-element med en spin-polariserad ström.

Toshiba har forskat på MRAM sedan 2004 och 2007 tillverkade företaget sin första STT-MRAM-cell.

Filed under: Utländsk Teknik