Macoms fjärde generation GaN RF-effekttransistorer ligger prismässigt i klass med LDMOS. De kan ge lika hög linjäritet och effektförstärkning men kan också ge högre verkningsgrad och högre bandbredd i effektförstärkare för basstationer.

Den nya serien GaN-effekttransistorer från Macom kallas MAGb. Det är en av flera nyheter som presenteras på Mobile World Congress. MAGb-serien täcker de flesta mobiltelefoniband mellan 1,8 och 3,6 GHz och kan ge upp till 700 W toppeffekt.
Macom visar också GaAs-bestyckade smal- och bredbandiga slutsteg  för 7 till 86 GHz, diskret uppbyggda högeffektsomkopplare, småsignalmoduler som lågbrusförstärkare, digitala stegdämpare, spänningsstyrda dämpare och styrkretsar i form av delvis eller helintegrerade ”front end”-moduler.
För E-bandet (millimetervåg) har Macom slutsteg och andra moduler.
För optiska länkar i infrastrukturen till basstationer har Macom en portfölj av laser för ”optical fronthail” (CPRI) och ”optical backhaul” (GPON).

Filed under: Utländsk Teknik