Kiselsmedjorna X-FAB och Exagan har nu tillsammans fått fram fungerande komponenter i GaN på kisel med företagens nya 200 mm-anläggning. Tekniken använder wafers från Exagan i X-FABs vanliga CMOS-produktion.

Det här innebär att de bägge företagen har lyckats lösa många av de utmaningar som finns i att kombinera GaN och CMOS. Det handlar inte minst om materialstress, där de olika materialen beter sig på olika sätt. Hittills har arbetet med GaN på kisel för det mesta begränsats till 100- eller 150 mm-wafers, på grund av problemen med att lägga GaN-film på kiselwafers. Men Exagons G-stack-teknik använder en speciell kombination av GaN-lager och lager av stresshanteringsmaterial som gör det möjligt att gå upp till 200 mm.
Fördelarna i att kombinera GaN och CMOS är förstås mycket stora. Wafermaterialet är billigare och produktionskostnaden i befintliga CMOS-anläggningar är mycket lägre än för konventionell GaN. Ändå behåller man den högre verkningsgraden för kraftkomponenter som är GaN-teknikens stora fördel.
Testkomponenterna har tillverkats med hjälp av substrat från Exagons anläggning i Grenoble. Företagets epi-wafers är specificerade att klara 650 V G-FET-komponenter, samtidigt som de är kompatibla med vanlig CMOS-produktion. Produktionen sker i X-FABs anläggning i Dresden.
– Det här är ett mycket viktigt steg för oss, säger Frédéric Dupont, president och CEO för Exagan. Det visar att vår fab-lite-modell fungerar och att våra wafers är kompatibla med produktionen hos X-FAB. Vår timing är perfekt, nu när GaN-tekniken har fått sitt genombrott inom fordonselektroniken, IT-servrar och konsumentelektronik.

Filed under: Utländsk Teknik