Toshiba har tagit fram en processteknologi som gör det möjligt att tillverka NAND-flashminnen med två bit per cell i 15 nm. Tekniken skall användas i minnen med 128 Gbit per chip och produktionen startar i slutet av april i företagets Fab 5 i Yokkaichi.

Den nya processen kommer att ersätta den 19 nm-process som används i de största minneskomponenterna idag. Andra steget av utbyggnaden av Fab 5 pågår dessutom för fullt och den nya teknologin kommer att användas också där.
Skrivhastigheten med de nya chipen är samma som för 19 nm, men läshastigheten är betydligt högre, Överföringshastigheten är 533 Mbit/s, via ett nytt och snabbare gränssnitt.

Filed under: Utländsk Teknik