I jakten på att få fram snabbare och mer energibesparande minnen har universitetet i Purue tagit fram en ny typ: FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory).

Den nya tekniken kombinerar kisel-nanotrådar med ferroelektriska polymerer för att bilda en ferroelektrisk transistor. Om ett elektriskt fält appliceras, ändrar transistorn sin polaritet mellan "0" och "1".
Tillverkningsprocessen följer dagens konventionella produktionsmetoder för CMOS-kretsar.
Fördelen med FeTRAM, jämfört med kommersiella FeRAM är att FeTRAM är icke-flyktigt minne, dvs det håller kvar minnesinnehållet när matningsströmmen bryts. Minnet behöver bara ca 1 procent av den energi som vanliga halvledarminnen drar.
Om FeTRAM skulle kunna ersätta dagens minneskretsar i bärbara datorer skulle batteritiden förlängas avsevärt.

Filed under: Utländsk Teknik