Under det pågående eventet APEC 2016 har Fairchild passat på att lansera sitt senaste tillskott till företagets PowerTrench MOSFET-portfölj – en 100 Volts N-kanal MOSFET som är den första i en ny komponentgeneration fälteffekttransistorer från företaget med en kraftigt lägre Rds(on).

De främsta fördelarna med Fairchilds nya MOS fälteffekttransistor FDMS86181 är enligt företaget att Rds(on) har minskats med 40 procent, jämfört med tidigare generation, vilket sänker ledningsförlusterna och minimerar gate-laddningen (Qg) som minskar switchförlusterna. Ett lågt Qrr ska också göra det möjligt att minska eller avskaffa dämpare av transienter i konstruktionen och mildra EMI i tillämpningar för strömförsörjning, motordrivning och andra applikationer som kräver en 100 V MOSFET.

Filed under: Utländsk Teknik