Programmet för den internationella konferensen SiC 2019 har nu tagit form.  Årets konferens kan lära dig att spara energi genom att använda halvledarkomponenter med brett bandgap i dina konstruktioner!

Under många år hade kiselkarbidkonferensen, under namnen ISICPEAW, IWBGPEAW och SCAPE, fokus på forskning där SiC- och GaN-halvledare beskrevs som framtida, lovande  teknik.

Framtiden är nu: Tekniken är nu i hög grad kommersialiserad. Årets konferens kommer att spegla var halvledarindustrin står idag och vad som är möjligt att implementera i applikationer.

Men vi får också höra om vart utvecklingen är på väg och inte minst hur man kan spara energi genom att konstruera med halvledare med brett bandgap, i materialen kiselkarbid eller galliumnitrid.

Föredragen handlar inte enbart om diskreta SiC- och GaN-komponenter utan även om hur moduler är optimerade för att nå högsta möjliga verkningsgrad.

Årets viktiga konferens om halvledare i kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN),  SCAPE 2019, äger rum den 13-14 maj Radison Blue Royal Park Hotel I Stockholm. En tutorial genomförs dagen innan hos RISE Acreo i Kista

Läs mer om konferensen på webbadressen ri.se/en/scape-2019

Konferensen anordnas, liksom under tidigare år, i ett samarbete mellan RISE, WBG power center (Acreo Swedish ICT, Swerim, KTH samt industripartners), Yole développement och Energimyndigheten.

Konferensen leds av professor Mietek Bakowski.

Konferensen om brett bandgap hette från början ISICPEAW, International Silicon Carbide Power Electric Applications Workshop och fick under namnet 2017 namnet IWBGPEAW, International Wide BandGap Power Applications Workshop, med tanke på ett allt större inslag av galliumnitrid, GaN. Förra året ändrades namnet till det mer uttalbara SCAPE, Silicon Carbide Applications Power Electronics.

Filed under: SvenskTeknik