IDT meddelar att de utökat sitt utbud av variabla dämpare VVA:er (Voltage Variable Attenuators) för att nu täcka hela frekvensspannet från 1 MHz till 6 GHz och som har IP3-prestanda som är 1000 gånger (30 dB) bättre än motsvarande dämpare i GaAs.

Företagets nya variabla dämpare F2255 och F2258 uppges ha ungefär halva inlänkningsdämpningen jämfört med konkurrerande lösningar, IP3-prestanda som uppvisar en linjär-i-dB dämpningskarakteristik över spänningsreglerområdet.

Kretsarna lämpar sig för basstationer (2G, 3G och 4G), mikrovågsinfrastruktur, allmäna säkerhetslösningar, bärbar trådlös kommunikations/datautrustning, testutrustning/ATE, militära system, JTRS radio och även HF, VHF och UHF radio.

Genom att använda beprövad kiselbaserad RF halvledarteknik kan IDT med sina nya dämpare erbjuda ett robust alternativ till äldre GaAs-baserad halvledarteknik. Kiseltekniken har enligt IDT här fördelarna med förbättrad RF-prestanda samt ett mer robust ESD-skydd, bättre fuktkänslighetsnivåer (MSL), förbättrade termiska prestanda och lägre strömförbrukning.

Företaget jämför en av de nya komponenterna (F2258) med en pin-kompatibel GaAs-konkurrent och konstaterar då att deras F2258 har en ingångs-IP3 på upp till 65 dB jfm 35 dBm för GaAs-komponenten, en maximal dämpningslutning (attenuation slope) på 33 dB/volt jfm 53 dB/volt, en minimum RL (Return Loss) upp till 6.000 MHz på 12,5 dB jfm 7 dB och en maximal driftstemperatur på 105°C jfm 85°C. Den andra kretsen (F2255) stöder ett frekvensområde ned till 1 MHz och har en maximal dämpninglutning på 33 dB/volt. Båda enheterna har dubbelriktade RF-portar, spänningsmatas med antingen 3 eller 5 V och har en driftstemperatur från -40 till +105 ° C. Båda dämparna levereras i en kompakt 3 x 3 mm, 16-bens TQFN-kapsel.

Filed under: Utländsk Teknik