Ett avtal innebär att Acal BFI kommer att sälja Crees RF-komponenter i Italien, Spanien, Tyskland, Polen, Tjeckien, Nederländerna, Norge, Sverige, Ungern och Luxemburg.

Halvledare i galliumarsenid, GaN, används alltmer i kretsar för radiofrekvenser.
– GaN ses i ökad grad som en nyckelteknologi för att förbättra verkningsgraden och minska de övergripande systemkostnaderna. Med gemensamma krafter kan nu Cree och Acal BFI se till att dessa fördelar kan nå en ökad marknad. Vi ser fram emot en accelererad användning av Cree GaN HEMT i valet av RF-teknologi i Europa, säger Tom Dekker, Crees försäljnings- och marknadschef för hela världen.

Filed under: Utländsk Teknik