Cree Inc. meddelar att de nu lanserar högkvalitativa, 100 µm epitaxiellt växta Ø150 mm H4 n-typ kiselkarbid (SiC)-wafers med låg mikrorörsdensitet.
Cree uppger sig fortsätta att leda marknaden för SiC–material och driver på mot större diametrar. Den nya 150 mm-wafern med ett mycket uniformt epitaxialskikt så tjockt som 100 µm uppges sänka kostnaderna per krets och möjliggöra för kunder att utnyttja sina befintliga 150-mm processlinor. Kiselkarbid används för tillverkningen av ett brett spektrum av komponenter inom belysning, kraft och kommunikation, inklusive lysdioder, effektswitchar och RF-effekttransistorer för trådlös telekommunikation.

– Crees förmåga att leverera stora volymer av 100 mm epitaxiella wafers är oöverträffad inom SiC–branschen och vår senaste teknik för 150 mm fortsätter att höja standarden för SiC-wafers, säger Dr Vijay Balakrishna, Cree materials product manager.

Crees nya 150-mm SiC–wafers finns nu tillgängliga för beställningar i begränsade kvantiteter, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik