På forskarkonferensen IEDM 2015 beskrev en tysk forskargrupp hur man kan integrera en laser i en CMOS-proces. Det är en germanium-tenn-laser som ligger på en isolerad (germaniumbuffert) ö på kiselsubstratet.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Laser på CMOS

SiC (kiselkarbid) är ett material med brett bandgap och överlägsna egenskaper jämfört med kisel i högspänningskretsar. Ändå har det haft svårt att få bred spridning på marknaden. Erich Niklas, Future Power Solutions tittar här på kostnaden för SiC-komponenter i högspänningstillämpningar där energieffektivitet är en kritisk parameter. Kollmorgens prototyp av en SiC-inverter (Källa: Kollmorgen)

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Billigare ägandekostnad med SiC-komponenter

I takt med att nätverksoperatörer förskjuter fokus från täckning till kapacitet kommer GaN-teknologin väl till pass med sina möjligheter till hög verkningsgrad och stor bandbredd i kompakta effektförstärkare för småceller.

Filed under: Mikrovag | Kommentarer inaktiverade för GaN ger stora fördelar i små celler

James C Lewis, teknologiexpert hos KEMET, beskriver i den här artikeln två tekniker som gör det möjligt att använda lagerförda tantalkondensatorer i extremt krävande tillämpningar.

Filed under: Kontaktdon | Kommentarer inaktiverade för Tillförlitlig tantalkondensator

Signalerna från analoga sensorer kräver ett gränssnitt för sedan kunna bearbetas vidare av digitala kretsar. XR10910, först i en ny serie kretsar från Exar,  erbjuder en integrerad lösning till lägre kostnad , som integrerar ett stort antal kanaler och funktioner på ett litet fotavtryck och som drar lägre effekt än konkurrerande enheter.

Filed under: Analogteknik | Kommentarer inaktiverade för Högintegrerat analogt gränssnitt för sensorer

Oavsett om det är hemelektronikprodukter, telekommunikationshårdvara, elbilar eller hushållsapparater ställs det nu höga krav på ingenjörer att förbättra omvandlarnas verkningsgrad, höja effekttätheten, förlänga batterilivslängden och snabba upp switchfrekvensen. Det bäddar för Galliumnitrid, anser Tim Kaske från ON Semiconductor.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Tid för galliumnitrid

Under det senaste decenniet har USB-standarden (Universal Serial Bus) kommit att bli det mest populära gränssnittet bland konstruktörer av industri- och konsumentprodukter när det gäller att uppnå konnektivitet med andra applikationer. Bland orsakerna finns att standarden är lättanvänd, robust och klarar plug-and-play. Alf Petter Syvertsen från Silicon Labs visar här hur standarden kan användas också […]

Filed under: Mikroprocessorer | Kommentarer inaktiverade för USB i en batteridriven IoT-värld

I SoC-konstruktioner ser vi en övergång från 8-bitskärnor till 32-bitskärnor. David Kerr-Munslow från det franska processorföretaget Cortus S.A.S. analyserar här skillnaderna mellan en populär 8-bitskärna och en 32-bitskärna.

Filed under: Mikroprocessorer | Kommentarer inaktiverade för Fördelar med 32 bits processorkärna

Från årets stora halvledarkonferens konferens ISSCC 2015, den 22-26 februari i San Fransisco, ger vi här några exempel på kretskonstruktioner som ligger i linje med nya trender.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för ISSCC 2015 pekade ut trender

Synkron detektering, principen bakom ”lock-in”-förstärkare, är en användbar teknik för att extrahera signaler som döljer sig väl under brusgolvet. Denna artikel diskuterar frekvensdomänoperationerna i synkron detektering, olika kretsimplementationer av tekniken samt för- och nackdelar med var och en av dem.

Filed under: Analogteknik | Kommentarer inaktiverade för Mät signaler under brusgolvet med synkron detektor