Posted on september 28th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
En passiv radar har ingen egen sändare. I stället utnyttjar man andra sändare, som exempelvis mobilnätens basstationer. Mottagaren samlar in reflekterade signaler från dessa och beräknar var det reflekterande föremålet befinner sig.
Filed under: Mikrovag | Kommentarer inaktiverade för Passiv radar utnyttjar radiobasstationer
Posted on september 28th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
En verklig världstelefon – en 4G LTE-smarttelefon för global roaming –har ännu inte nått marknaden, men en stadig följd av sändtagarkretsar och komponenter för RF-ingångssteg(RFFE) påskyndad av framsteg inom teknik och prestanda kan snart göra verklighet av en sådan telefon. Rodd Novak, CMO, Peregrine Semiconductor Corp visar hur detta låter sig göras.
Filed under: Mikrovag | Kommentarer inaktiverade för Ingångssteg klarar 4G LTE världstelefoner
Posted on september 28th, 2012 by Göte Fagerfjäll
Allt fler embeddedtillämpningar har grafikkrav som är svåra att realisera med de storleks- och effektbudgetar som står till buds. Cameron Swen från AMD beskriver här hur företagets senaste embeddedprocessorer kan fylla det gapet.
Filed under: Mikroprocessorer | Kommentarer inaktiverade för 384 kärnor ger höga grafikprestanda
Posted on augusti 31st, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Att avlasta mobilnäten med WLAN hjälper mobiloperatörerna att ta hand om den snabbt ökande datatrafiken fån mobila enheter. Adrian Schumacher, avd för internationell R&D för radiotest hos Rohde & Schwarz, München, visar här hur tekniken är möjlig.
Filed under: Mikrovag | Kommentarer inaktiverade för Avlasta mobilnätens datatrafik med WLAN
Posted on augusti 31st, 2012 by Göte Fagerfjäll
Systemkretsar (SoC) och systemprogramvara står för en allt större del av ett fordons värde. Elektrifieringen av bilen är nyckeln till innovation för biltillverkarna. David W. Smith, forskare på Synopsys, granskar utmaningarna för utvecklingsteam och vad som krävs på en plattform för virtuell utveckling.
Filed under: FPGA | Kommentarer inaktiverade för Virtuell utveckling och verifiering för e-mobilitet
Posted on augusti 31st, 2012 by Göte Fagerfjäll
Genom att samla alla de funktioner som brukar kräva både ASSP, ASIC och FPGA i en komponent går det att minska kostnad, energiförbrukning och vikt och ändå behålla flexibiliteten. David Hawke, Sr Product Marketing Manager hos Xilinx, beskriver här hur nästa generations digitala radiolösning kan se ut.
Filed under: FPGA | Kommentarer inaktiverade för Programmerbar ASSP för nästa generations digitala radio
Posted on juni 15th, 2012 by Göte Fagerfjäll
Enkapseldatorer baserade på ARM Cortex-kärnor blir allt vanligare. Shahram Tadayon, marknadschef för MCU-produkter, Silicon Laboratories Inc, tittar här på vilka skillnader som kan finnas i I/O-funktioner och hur de kan förenkla konstruktörens arbete.
Filed under: Enkapseldatorer | Kommentarer inaktiverade för Högintegrerad enkapseldator förenklar konstruktörens arbete
Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Efter 10 år av framgångsrik produktion av SiC-dioder anser vi att SiC-tekniken är så mogen att vi kan presentera vår första SiC-switch, skriver Wolfgang Bergner, Fanny Björk, Daniel Kupoler och Gerald Deboy vid Infineon Technologies.I deras artikel framgår motiveringen till att man valde att satsa på en i normalläget ledande (normally on) JFET i stället […]
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Switcha effektivare med kiselkarbid
Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?
Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler