Passiv radar utnyttjar radiobasstationer

En passiv radar har ingen egen sändare. I stället utnyttjar man andra sändare, som exempelvis mobilnätens basstationer. Mottagaren samlar in reflekterade signaler från dessa och beräknar var det reflekterande föremålet befinner sig.

Ingångssteg klarar 4G LTE världstelefoner

En verklig världstelefon – en 4G LTE-smarttelefon för global roaming –har ännu inte nått marknaden, men en stadig följd av sändtagarkretsar och komponenter för RF-ingångssteg(RFFE) påskyndad av framsteg inom teknik och prestanda kan snart göra verklighet av en sådan telefon. Rodd Novak, CMO, Peregrine Semiconductor Corp visar hur detta låter sig göras.

384 kärnor ger höga grafikprestanda

Allt fler embeddedtillämpningar har grafikkrav som är svåra att realisera med de storleks- och effektbudgetar som står till buds. Cameron Swen från AMD beskriver här hur företagets senaste embeddedprocessorer kan fylla det gapet.

Avlasta mobilnätens datatrafik med WLAN

Att avlasta mobilnäten med WLAN hjälper mobiloperatörerna att ta hand om den snabbt ökande datatrafiken fån mobila enheter. Adrian Schumacher, avd för internationell R&D för radiotest hos Rohde & Schwarz, München, visar här hur tekniken är möjlig.

Virtuell utveckling och verifiering för e-mobilitet

Systemkretsar (SoC) och systemprogramvara står för en allt större del av ett fordons värde. Elektrifieringen av bilen är nyckeln till innovation för biltillverkarna. David W. Smith, forskare på Synopsys, granskar utmaningarna för utvecklingsteam och vad som krävs på en plattform för virtuell utveckling.

Programmerbar ASSP för nästa generations digitala radio

Genom att samla alla de funktioner som brukar kräva både ASSP, ASIC och FPGA i en komponent går det att minska kostnad, energiförbrukning och vikt och ändå behålla flexibiliteten. David Hawke, Sr Product Marketing Manager hos Xilinx, beskriver här hur nästa generations digitala radiolösning kan se ut.

Högintegrerad enkapseldator förenklar konstruktörens arbete

Enkapseldatorer baserade på ARM Cortex-kärnor blir allt vanligare. Shahram Tadayon, marknadschef för MCU-produkter, Silicon Laboratories Inc, tittar här på vilka skillnader som kan finnas i I/O-funktioner och hur de kan förenkla konstruktörens arbete.

Switcha effektivare med kiselkarbid

Efter 10 år av framgångsrik produktion av SiC-dioder anser vi att SiC-tekniken är så mogen att vi kan presentera vår första SiC-switch, skriver Wolfgang Bergner, Fanny Björk, Daniel Kupoler och Gerald Deboy vid Infineon Technologies.I deras artikel framgår motiveringen till att man valde att satsa på en i normalläget ledande (normally on) JFET i stället […]

Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?

Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.

Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler

Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.