GaN ger stora fördelar där effekt krävs
Under 2010 bildades företaget EpiGaN som ”spin of” från det belgiska forskningsinstitutet Imec, med en inriktning på halvledare i galliumarsenid på kiselsubstrat, GaN på Si-wafers. Tekniken kombinerar de fördelar GaN HEMT kan ge med möjligheten att producera billigt på kisel. Marianne Germain, vd och grundare av EpiGaN ger här en bakgrund till fördelarna med att […]
Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för GaN ger stora fördelar där effekt krävs