På forskarkonferensen IEDM 2015 beskrev en tysk forskargrupp hur man kan integrera en laser i en CMOS-proces. Det är en germanium-tenn-laser som ligger på en isolerad (germaniumbuffert) ö på kiselsubstratet.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Laser på CMOS

Oavsett om det är hemelektronikprodukter, telekommunikationshårdvara, elbilar eller hushållsapparater ställs det nu höga krav på ingenjörer att förbättra omvandlarnas verkningsgrad, höja effekttätheten, förlänga batterilivslängden och snabba upp switchfrekvensen. Det bäddar för Galliumnitrid, anser Tim Kaske från ON Semiconductor.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Tid för galliumnitrid

Från årets stora halvledarkonferens konferens ISSCC 2015, den 22-26 februari i San Fransisco, ger vi här några exempel på kretskonstruktioner som ligger i linje med nya trender.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för ISSCC 2015 pekade ut trender

Genom att analysera termiska prestanda i intelligenta effektmoduler kan man skapa bättre kretskortskonstruktioner. Stefano Ruzza & Marco Palma, International Rectifier, Motion IC Group Europe beskriver hur det går till.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Bättre effektmoduler efter termisk analys

IEDM, IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM, har under 60 år varit världens främsta mötesplats för att presentera resultat från den senaste forskningen inom halvledarteknik, konstruktion och tillverkning av elektroniska komponenter, halvledarfysik och skapande av modeller för elektroniska kretsar och komponenter.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Halvledarforskningen i frontlinjen på IEDM

Man hör sällan begreppet fablösa halvledarföretag i dag, av det uppenbara skälet att de flesta halvledarföretag nuförtiden är fabrikslösa. Det är så vanligt att det inte är anmärkningsvärt. På de flesta håll i halvledarindustrin är kostnaden för att bygga, driva och underhålla en produktionsanläggning för halvledare så hög att den är utom räckhåll för alla […]

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Därför behåller analogtillverkarna sina fabriker

2013 års IEEE International Electron Devices Meeting i Washington bjöd bland annat på forskningsresultat 16 µm FinFET, MOSFET med nanotråd i kisel och runttäckande gate, monolitisk 3D-arkitektur, p-MOSFET i germanium och visualisering av CBRAM-förbindningar.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för Nya forskarrekord på 2013 års IEDM

Eric Persson, Executive Director GaN Applications and Marketing, International Rectifier förklarar här GaN-komponenters karaktäristik med fokus på kaskodkoppling. Han visar också de prestanda- och verkningsgradsförbättringar som är möjliga i andra applikationer som kraftaggregat och motorstyrningar.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för GaN HEMT kaskodkopplad med Si FET ger attraktiv komponent för 600 V

Debatten om CMOS kontra GaAs blev åter ett hett ämne på 2013 års International Microwave Symposium. Att välja bästa alternativ är inte så enkelt som att bara jämföra de aktiva komponenterna. I praktiken är det bäst att analysera en blandning av teknikerna. I valet mellan CMOS eller GaAs i en effektförstärkarmodul (PA) måste hela teknikuppsättningen […]

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för CMOS eller GaAs men helst båda

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) räknas med sina internationella föredrag inom områdena mikro- och nanoteknik samt bioelektronik som en av de främsta fackkonferenserna i världen. I början av december träffades toppexperter inom dessa områden för 58 gången i San Francisco.Vår amerikanske korrespondent Henning Wriedt rapporterar här från några av de intressantaste bidragen på IEDM.

Filed under: Halvledarteknik | Kommentarer inaktiverade för IEDM speglade dagens halvledarforskning