Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?

Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler

Philippe Roussele, från Yole Développement presenterade under ISiCPEAW några intressanta siffror från institutets senaste marknadsundersökning för effekthalvledare med brett bandgap. Bland annat framgick att denna marknad årligen väntas öka kring 7-9 procent under åren 2013 till 2020.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Stadig tillväxt väntas för SiC och GaN