På måndag är det vaktombyte i USA. Donald Trump blir president ”på riktigt” och en ny regering träder till. Det innebär stora förändringar både i USA och för oss här i Europa. Är det dags för Danmark att släppa Grönland? Är det dags att lära politikerna i Los Angeles att bekämpa bränder? Och är det […]

Filed under: Analogteknik, EDA, Effekthalvledare, Embedded, Fordonselektronik, Kontaktdon, Kortsystem, Mikroprocessorer, Mikrovag, Opto, SvenskTeknik | Kommentarer inaktiverade för Vad händer 2025?

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Filed under: Effekthalvledare, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

Moderna system för effektomvandling måste bli alltmer effektiva, och samtidigt mindre och prisbilligare än föregående generation. Med detta i åtanke har det schweiziska företaget LEM, som är globalt ledande inom ström- och spänningsavkänning, utnyttjat sitt kunnande inom området för att skapa en enchipslösning kallad HMSR. Fig 1. I Open Loop-teknologin används ett traditionellt Hall-effektschip eller […]

Filed under: Effekthalvledare, Stromforsorjning | Kommentarer inaktiverade för Miniatyriserad strömavläsning i effektomvandlingssystem

SiC (kiselkarbid) är ett material med brett bandgap och överlägsna egenskaper jämfört med kisel i högspänningskretsar. Ändå har det haft svårt att få bred spridning på marknaden. Erich Niklas, Future Power Solutions tittar här på kostnaden för SiC-komponenter i högspänningstillämpningar där energieffektivitet är en kritisk parameter. Kollmorgens prototyp av en SiC-inverter (Källa: Kollmorgen)

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Billigare ägandekostnad med SiC-komponenter

Bakgrundsbelysning av displayer görs numera framför allt med LED-teknik och strömförsörjningssystemen måste driva ett stort antal lysdioder. Emir Serdarevic och Manjunatha Poojary från ams AG visar här vilka problem som finns och hur de kan bemästras.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Förstärkar-/omvandlarkrets för LED-bakgrundsbelysning

Den direkta buckomvandlaren är ofta en attraktiv lösning, men det finns inte särskilt många färdiga styrenheter på marknaden. Janusz Bicki från Future Electronics (EMEA), visar här hur man i stället kan modifiera en vanlig flybackomvandlare.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Direkta buckomvandlare på ett enkelt sätt

Årets konferens iSiCpeaw pekar på en marknad som börjar bli etablerad på allvar och applikationer som kan dra nytta av lägre förluster, högre switchfrekvenser och hög temperaturtålighet, jämfört med komponenter i kisel. Framför allt tog föreläsningarna fasta på de områden där forskning visar att det finns förbättringspotentialer, t ex ifråga om parasitinduktanser.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för 99,6 procents verkningsgrad med SiC

Smarta konstruktionsverktyg på Internet ger tillgång till sofistikerade termiska analyser och frekvensanalyser. Tillsammans med de senaste effekthalvledarteknologierna kan det ge lösningar med mindre storlek, lägre kostnad samt högre verkningsgrad och bättre tillförlitlighet.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Smartare webbverktyg snabbar upp effektkonstruktioner

Trots att halvledarbranschen upplevde en nedgång 2012 fortsätter marknaden att växa enligt Yole Développement. Det visar deras senaste rapport ”SiC Market 2013: Technology and Market for SiC Wafers, Devices and Power Modules”. Den är författad av dr Philippe Roussel, Yole Développement.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Marknaden för SiC växer med 38 procent per år

Philippe Roussele, från Yole Développement presenterade under ISiCPEAW några intressanta siffror från institutets senaste marknadsundersökning för effekthalvledare med brett bandgap. Bland annat framgick att denna marknad årligen väntas öka kring 7-9 procent under åren 2013 till 2020.

Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Stadig tillväxt väntas för SiC och GaN