Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Grafen lovande material för halvledarkretsar

De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för X-parametrar för olinjära RF-kretsar

Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för SiC går från forskning till kommersiell succé

Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för SiC inleder nya era för fordonselektroniken

Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående […]

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning

Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat. Lars Vestling granskar en lyckad […]

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN

Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken

Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för SiC står inför sitt genombrott