Ursprungligen hade den årliga konferensen ISICPEAW en inriktning mot kiselkarbid (SiC). Men programmet har succesivt breddats till att omfatta även galliumnitrid (GaN. I år byter den namn til IWBGPEAW för att betona inriktningen mot halvledare med brett bandgap .

Årets kiselkarbidkonferens vidgar innehållet och byter namn från ISICPEAW (International Silicon Carbide Power Electronics Applications Workshop) till IWBGPEAW (International Wide Bandgap materials Power Electronics Applications Workshop).
IWBGPEAW 2017 äger rum från 21 till 23 maj, där första dagen är en kurs, ”tutorial”,  som beskriver konstruktion och drift av halvledare med brett bandgap (WBG), kapslingsteknik, systemtillämpningar och hur komponenterna skall drivas.

Konferensens workshop äger rum de två följande dagarna. Den lyfter fram senaste resultat inom forskning och utveckling med talare från såväl akademi som industri. Fokus ligger på användningen av halvledare med brett bandgap i tillämpad kraftelektronik, komponenter, moduler, kapsling, tillförlitlighet och jämförelser med motsvarande elektronik i kisel.
Konferensprogrammet håller nu på att ta form under ledning av Mietek Bakowski vid forskningsinstitutet RISE Acreo AB.

Arrangör är RISE Acreo AB, och dess SiC Power Center, i samarbete med Yole Développement och Enterprise Europe Network.  Årets konferens stöds av Energimyndigheten och Östersjöprojektet Green Power Electronics.

Föregående års konferens samlade 124 deltagare från 20 länder.

Från den 27 februari är det möjligt att registrera sig. Gå in på https://www.b2match.eu/iwbgpeaw2017

Filed under: SvenskTeknik