Tyska Rohm Semiconductor meddelar att de startat vad som uppges vara branschens första massproduktion av SiC kraftmoduler (1200V/100A) som helt och hållet består av SiC kraftkomponenter och som möjliggör för höga frekvenser över 100 kHz.

Således uppger företaget sig nu kunna erbjuda både Schottky-dioder (SBD) och MOSFET:ar samt även kompletta SiC-moduler.

Rohms SCS-serie SiC Schottky-dioder (SBD) är en ny klass av kiselkarbiddioder med låg framspänning och snabb återhämtning vilket ger en ökad verkningsgrad. Till skillnad från kiselbaserade, snabbåterhämtande dioder där TRR ökar med temperaturen kan kiselkarbid hålla konstanta egenskaper över ett brett temperaturområde, vilket resulterar i bättre prestanda under verkliga driftsförhållanden, enligt Rohm. Exempelvis har 10 A-spesade delar en VF på 1,5 V vid 25°C och 1,6 V vid 150°C. Låg VF minskar ledningsförlusterna medan ultra-kort omvänd återhämtningstid (typiskt 15 ns) underlättar snabb växling och minimerar switchförlusterna. Företagets MOSFET SCH-serie uppges uppnå hög spänningsresistans, låg ON-resistans, och snabb switchhastighet i en hög värmeavledningskapsling som uppges bidra till miniatyrisering, lägre energiförbrukning och större effektivitet, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik