Avancerade mönsterkort, moduler och kapslingsteknik
I EUs forsknings- och innovationsprogram, Horizon 2020 ingår GaNonCMOS-projektet där 11 viktiga europeiska aktörer samarbetar. En av dessa är mönsterkorttillverkaren AT & S. Företaget deltar också i ett konsortium för kapsling på panelnivå som leds av Fraunhofer IZM.
GaNonCMOS-projektet syftar till att under de fyra kommande åren utveckla kostnadseffektiva och tillförlitliga GaN-baserade processer, komponenter, moduler och integrationsmetoder. Projektet syftar främst till att dra nytta av den höga verkningsgrad som GaN (galliumnitrid) kan ge. Inriktningen ligger på att ta fram flera demonstratorer av GaN-switchar och CMOS-drivkretsar, samt nya magnetiska material för kärnor som är lämpliga för switchfrekvenser upp till 200 MHz.
Tillsammans med optimerad, inbäddad mönsterkortteknik, bör utvecklingen leda fram till nya integrerade kraftkomponenter för billiga system med hög tillförlitlighet.
De som arbetar tillsammans med AT & S i detta projekt är universitetet i Leuven, Epigan, Fraunhofer, IBM Research, IHP, Tyndall National Institute, PNO Innovation, Recom, NXP Semiconductors och X-FAB Semiconductor.
Miniatyrisering på stora paneler
Ett konsortium för kapsling på panelnivå har också bildats. Det består av internationellt ledande partners som Intel, ASM Pacific, Hitachi Chemical, AT & S, Evatec, Nanium, Süss MicroTec, Unimicron, Brewer Science, Fujifilm Electronic Materials USA, Shinetsu, Mitsui Chemicals Tohcello och Semsysco. Med Fraunhofer IZM som utvecklingsnav är planen att skapa ”fan-out panel-level packaging” (FOPLP), vilket innebär en av de senaste kapslingstrenderna inom mikroelektronik. FOPLP har en mycket hög miniatyriseringspotential i både förpackningsvolym och kapslingsdensitet.
Under konsortiets två år kommer kända tekniska delar av kapsling på wafer-nivå att överföras till paneler i storformat. Den tekniska grunden för FOPLP är en konfigurerad, gjuten panel med inbäddade komponenter, förbundna med tunnfilmskikt vilket tillsammans ger en ytmonterbar kapsel.
De främsta fördelarna med FOPLP är en mycket tunn, substratlös kapsel med låg termisk resistans och goda RF-egenskaper. Dessutom kan passiva komponenter såsom kondensatorer, motstånd, induktorer och antennstrukturer integreras med i ett sammankopplande skikt. Detta gör tekniken lämplig för att skapa flerchipskapslar och system-in-paket (SIPS).
Med en panel i storleken 18×24 tum (standardformat för mönsterkortpaneler), eller större, kan lägre förpackningskostnader uppnås tack vare högre produktivitet.
Filed under: SvenskTeknik